Datei:IPRS BANEASA 2N2222.jpg

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Beschreibung

Beschreibung
English: IPRS BANEASA – Bucharest, Romania 2N2222

NPN 40V 800mA 500mW BJT TRANSISTOR 3PIN TO-18

1980s
Datum
Quelle Eigenes Werk
Urheber Mister rf
HINWEIS: Dieses Bild ist ein per Focus Stacking erzeugtes Bild von “IPRS BANEASA 2N2222” bestehend aus 240 Bildern, die mit Helicon Focus zusammengesetzt wurden. Resultierend daraus wurde dieses Bild einer digitalen Manipulation unterzogen, die Überblendung, Unschärfe, Clonen und Farb- und Perspektivkorrekturen umfassen konnte. Als Ergebnis dieser Anpassungen kann sich der Bildinhalt an den Stellen, an denen die Bilder kombiniert wurden, geringfügig von der Realität unterscheiden. Diese Manipulation ist oft aufgrund von Objektiv-, Perspektiv- und Parallaxenverzerrungen erforderlich.

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Kurzbeschreibungen

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2N2222 NPN bipolar junction transistor (BJT)

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aktuell18:23, 24. Mär. 2023Vorschaubild der Version vom 18:23, 24. Mär. 20233.860 × 3.270 (4,32 MB)wikimediacommons>Mister rfminor corrections

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