Diese Datei stammt aus Wikimedia Commons und kann von anderen Projekten verwendet werden. Die Beschreibung von deren Dateibeschreibungsseite wird unten angezeigt.
BeschreibungBJT h-parameters (generalised).svg
Generalised h-parameter model of an NPN BJT. The term "x" in the model represents a different BJT lead depending on the topology used. For common-emitter mode the various symbols take on the specific values as:
x = 'e' because it is a common-emitter topology
Terminal 1 = Base
Terminal 2 = Collector
Terminal 3 = Emitter
iin = Base current (ib)
io = Collector current (ic)
Vin = Base-to-emitter voltage (VBE)
Vo = Collector-to-emitter voltage (VCE)
and the h-parameters are given by –
hix = hie – The input impedance of the transistor (corresponding to the emitter resistance re).
hrx = hre – Represents the dependence of the transistor's IB–VBE curve on the value of VCE. It is usually very small and is often neglected (assumed to be zero).
hfx = hfe – The current-gain of the transistor. This parameter is often specified as hFE or the DC current-gain (βDC) in datasheets.
hox = hoe – The output impedance of transistor. This term is usually specified as an admittance and has to be inverted to convert it to an impedance.
verbreitet werden – vervielfältigt, verbreitet und öffentlich zugänglich gemacht werden
neu zusammengestellt werden – abgewandelt und bearbeitet werden
Zu den folgenden Bedingungen:
Namensnennung – Du musst angemessene Urheber- und Rechteangaben machen, einen Link zur Lizenz beifügen und angeben, ob Änderungen vorgenommen wurden. Diese Angaben dürfen in jeder angemessenen Art und Weise gemacht werden, allerdings nicht so, dass der Eindruck entsteht, der Lizenzgeber unterstütze gerade dich oder deine Nutzung besonders.